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ICP-MS分析特性：
●可快速同时检测周期表上几乎所有元素
●zui低的检出限（低至ppq级）
●分析效益/成本比z佳
●z宽的线性动态范围—可直接检测从ppq到数百ppm浓度
●谱线zui简单、干扰z小，准确度和精密度好
●需要样品量很低(ul至ml)，分析速度很快（1～3分钟/样品）
●检测模式灵活多样
半导体工业常用材料中超痕量污染物分析：
固体：Si;GaAa单晶切片；石英、碳化硅等炉材料；高纯金属电极等
液体：超纯水；HF;HNO3;HCI;H2SO4;H2O2;氨水等
气体：SiH4;TE0S;NF3;N2等
AgilentICP-MS可直接分析有机样品：
AgilentICP-MS的高效能、高功率屏蔽矩冷等离子体技术已被用于测定一系列有机样品的ppt级痕量污染元素。
●对其中一些样品，其他方法无法得到满意的结果，高功率屏蔽矩冷等离子体技术是wei一的分析方法。
●强碱性清洗剂——四甲基氢氧化氨(TMAH)等
●常用有机溶剂——甲苯、二甲苯、IPA等
●高基体样品——光刻胶、液晶、BPSG、PSG等挥发性ji强的清洗剂——丙酮、甲醇等。
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ICPMS检测模式灵活多样